Детали
из
карбида
кремния
(SiC)
Карбид
кремния
(SiC)
имеет
много
общих
характеристик
с
алмазом
—
это
один
из
самых
легких,
твердых
и
прочных
технических
керамических
материалов.
Он
обладает
отличной
теплопроводностью,
кислотостойкостью
и
низким
тепловым
расширением.
Карбид
кремния
является
отличным
материалом,
когда
физический
износ
является
важным
фактором,
благодаря
своей
исключительной
устойчивости
к
эрозии
и
истиранию.
Это
делает
его
подходящим
для
различных
промышленных
применений,
включая
сопла,
сопла
для
пескоструйной
обработки
и
компоненты
циклонных
сепараторов.
Керамика
из
карбида
кремния,
спеченная
без
давления
Механические
свойства
|
Свойство
|
Единица
измерения
|
Карбид
кремния
|
|
Плотность
|
г/см³
|
3.15
|
|
Твердость
по
Виккерсу
|
Hv0.5
|
2650
|
|
Прочность
при
изгибе
|
МПа
|
450
|
|
Прочность
при
сжатии
|
МПа
|
2650
|
|
Модуль
упругости
|
ГПа
|
430
|
|
Вязкость
разрушения
|
МПа·м½
|
4
|
|
Коэффициент
Пуассона
|
|
0.14
|
|
Модуль
Юнга
|
ГПа
|
430
|
|
Чистота
сырья
карбида
кремния
|
%
|
99
|
Тепловые
свойства
|
Свойство
|
Единица
измерения
|
Карбид
кремния
|
|
Теплопроводность
при
25°C
|
Вт/м·К
|
110
|
|
Температура
плавления
|
°C
|
2800
|
|
Удельная
теплоемкость
|
Дж/г·К
|
0.8
|
|
Коэффициент
линейного
расширения
|
10⁻⁶/K
|
4
|
Электрические
характеристики
|
Свойство
|
Единица
измерения
|
Карбид
кремния
|
|
Диэлектрическая
проницаемость
|
1
МГц
|
10
|
|
Пробивное
напряжение
|
В/см
|
1×10⁶
|
|
Диэлектрические
потери
|
1
МГц
|
0.001
|
|
Удельное
сопротивление
|
Ом·см
|
10²-10⁶
|
