11 субстрат нитрида алюминия керамики нитрида алюминия GPa для электронной промышленности

Субстраты, вафли от технической керамики для электронной промышленности

Субстраты основанные на нитриде алюминия глинозема (Al2O3), (AlN), нитриде кремния (Si3N4) и других керамических материалах, должных к их свойствам, широко использованы в электронной промышленности.

Главные программы:

• умирает монтажных плат печатной схемы на керамике (PCB);
• субстраты для металлизирования на толстопленочных и тонкопленочных технологиях;
• отполированные субстраты для металлизирования на тонкопленочной технологии;
• субстраты для СИД, лазерных диодов;
• субстраты точности для интегральной схемаы микроволны и микро- собраний с высокой плотностью отверстий и калибровать для кристаллов;
• множественные доски для наборов резисторов, реостатов, датчиков уровня горючего, давления, etc.;
• несущие цепи датчика ядовитых веществ, ионизирующего излучения, магнитного поля, etc.;
• вафли для ionizers и озонизаторов воздуха;
• изолируя пусковые площадки для извлекать жару из электронных блоков к охлаждая радиатору;
• протекторы для элементов пьезоэлектрических датчиков;
• основания и держатели плоских нагревающих элементов, кристаллов высокомощных полупроводниковых устройств;
• плиты для термоэлектрических модулей (элементов Peltier);
• экраны для генераторов плазмы радиочастоты.

Особенности применения продуктов от глинозема (Al2O3)

Глинозем (Al2O3) имеет характеристики превосходные материала сочетания из и самое недорогое. Высокая механическая прочность, твердость, сопротивление носки, огнестойкость, термальная проводимость, химическая инерция позволяет в некоторых случаях замене более дорогих материалов уменьшить производственные затраты.
Содержание Al2O3 меняет от 96% к 99,7%, толщина от 0,25 mm. Поверхность можно grinned или отполированный, металлизирование и любая геометрия возможны.

Особенности применения продуктов от нитрида алюминия (AlN)

Должный к своим превосходным изолируя свойствам, высокой термальной проводимости, прочности и низкому коэффициенту теплового расширения, нитрид алюминия AlN использован в высокомощных электронных устройствах, изолированных транзисторах ворот двухполярных (IGBT), системах коммуникаций, индикаторах СИД, пассивных компонентах, охлаждая приборах, непосредственном отношении компонентов на бондар-нагруженном припои. Содержание AlN меняет от 96% к 99,7%, толщина от 0,25 до 11 mm. Обработка вариантов для тонкопленочных и толстопленочных структур: меля финиш и отполированная поверхность. Металлизирование и любая геометрия возможны.

Особенности применения продуктов от нитрида кремния (Si3N4)

Нитрид кремния (Si3N4) имеет исключительные механические свойства на непрерывный термальный задействовать, в глубоком вакууме, в режиме увеличенного трения и в других строгих эксплуатационных режимах. Превосходное сопротивление носки и очень высокое сопротивление изгибу позволяют сделать субстратами 0,3 mm толстым, которое дает низкие значения термального сопротивления (оно может идет в сравнение с 1,0 mm толстого нитрида алюминия) пока значительно улучшающ механические характеристики которые стабилизированы над широким диапазоном температур и другими условиями агрессивной окружающей среды.
Нитрид кремния имеет высокое сопротивление радиации, коррозионную устойчивость и значительную электрическую прочность сравненные к другим керамическим материалам.