Pусский
Войти
| Цена | Negotiated |
| MOQ | 10pieces |
| Срок поставки | 2-15days |
| Бренд | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
| Место происхождения | Китай |
| Certification | ROHS |
| Номер модели | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF |
| Упаковывая детали | стандартный пакет |
| Условия оплаты | T/T, западное соединение |
| Способность поставки | 500000PCS |
| Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | Номер модели | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF |
| Certification | ROHS | Место происхождения | Китай |
| Количество минимального заказа | 10pieces | Price | Negotiated |
| Условия оплаты | T/T, западное соединение | Способность поставки | 500000PCS |
| Срок поставки | 2-15days | Упаковывая детали | стандартный пакет |
| Семья | Дискретные полупроводниковые продукты | Категория | Электронные компоненты-MOSFET (оксид металла) |
| Серия | HEXFET MOSFET (оксид металла) | Низкопробный номер детали | ИРФБ4 |
| Детали | N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Сквозное отверстие TO-220AB | Тип | Транзисторы - FET, MOSFET - Single |
| Описание | Транзисторы MOSFET N-CH TO220AB | Пакет | ТО220 |
| Устанавливать тип | Через отверстие | Запасы | В наличии |
IRFB7440PBF 40 В 120 A IRFB4310PBF 100 В 130 A IRFB4115PBF 150 В 104 A Транзисторы TO-220AB HEXFET FET МОП-транзисторы
Транзисторы N-Channel 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFET
---ИРФБ7440ПБФ 40В 120А ИРФБ4310ПБФ 100В 130А ИРФБ4115ПБФ 150В 104А
Описание:
В
этом
силовом
МОП-транзисторе
HEXFET®
используются
новейшие
технологии
обработки
для
достижения
чрезвычайно
низкого
сопротивления
в
открытом
состоянии
на
единицу
площади
кремния.
Дополнительными
характеристиками
этого
продукта
являются
рабочая
температура
перехода
175°C,
высокая
скорость
переключения
и
повышенная
устойчивость
к
повторяющимся
лавинам.В
совокупности
эти
функции
делают
эту
конструкцию
чрезвычайно
эффективным
и
надежным
устройством
для
использования
в
самых
разных
приложениях.
N-Channel
180A
(Tc)
200W
(Tc)
сквозное
отверстие
TO-220AB
Спецификация:
|
Категория
|
Дискретные
полупроводниковые
продукты
|
|
Транзисторы
-
FET,
MOSFET
-
Single
|
|
|
производитель
|
Инфинеон
Технологии
|
|
Ряд
|
HEXFET®
|
|
Упаковка
|
Трубка
|
|
Тип
полевого
транзистора
|
N-канал
|
|
Технологии
|
МОП-транзистор
(оксид
металла)
|
|
Напряжение
сток-исток
(Vdss)
|
40
В
|
|
Ток
—
непрерывный
слив
(Id)
при
25°C
|
180А
(Тс)
|
|
Напряжение
привода
(макс.
Rds
вкл.,
Min
Rds
вкл.)
|
10В
|
|
Rds
On
(Max)
@
Id,
Vgs
|
3,7
мОм
при
75
А,
10
В
|
|
Vgs(th)
(макс.)
@
Id
|
4
В
при
250
мкА
|
|
Заряд
затвора
(Qg)
(макс.)
@
Vgs
|
150
нКл
при
10
В
|
|
VGS
(макс.)
|
±20В
|
|
Входная
емкость
(Ciss)
(макс.)
при
Vds
|
4340
пФ
при
25
В
|
|
Полевой
транзистор
|
-
|
|
Рассеиваемая
мощность
(макс.)
|
200
Вт
(Тс)
|
|
Рабочая
Температура
|
-55°C
~
175°C
(ТДж)
|
|
Тип
крепления
|
Через
отверстие
|
|
Пакет
устройств
поставщика
|
ТО-220АБ
|
|
Пакет/кейс
|
ТО-220-3
|
|
Базовый
номер
продукта
|
IRF1404
|
| АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
|---|---|
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (неограниченно) |
| ДОСТИЖЕНИЕ Статус | REACH Не затронуто |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
